十大熱門關注開關電源(I)

開關電源一直是電子工業中非常流行的技術，其發展趨勢是我們必須時刻關注的問題，否則將無法跟上技術發展的步伐。開關電源廠家利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制控制IC和MOSFET構成。24V開關電源是高頻逆變開關電源中的一個種類。什么是24V開關電源 24V開關電源就是用通過電路控制開關管進行高速的導通與截止.將交流電提供給變壓器進行變壓轉化為高頻率的交流電。12V開關電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關管等部位，抗干擾電路出問題也會導致保險燒、發黑。需要注意的是：因開關管擊穿導致保險燒一般會把電流檢測 電阻 和電源控制芯片燒壞。負溫度系數熱敏電阻也很容易和保險一起被燒壞。 筆者對開關電源技術的發展重點做了調查，以下十大熱點。

興趣點：將功率半導體器件的性能

　　1998年，Infineon公司可以推出冷mos管，它采用“超級結”（Super-Junction）結構，故又稱超結功率MOSFET。工作進行電壓600V～800V，通態電阻之間幾乎降低了企業一個數據數量級，仍保持控制開關具有速度快的特點，是一種有發展中國前途的高頻信號功率以及半導體行業電子技術器件。

當IGBT剛出現時，電壓，額定電流只有600V，25A。的很長一段時間，壓力水平被限制在1200V?1700V，經過長期研究和提高勘探現在IGBT的電壓，額定電流達到了3300V / 1200A和4500V / 1800A，壓力已經達到了一個單片高壓IGBT 6500V，工作頻率的上限通常為20kHz的IGBT?40kHz的，通過新的技術生產的應用（PT）型IGBT結構為主，它可以在150kHz的（硬切換）和300kHz的（軟切換）工作。

　　IGBT的技術研究進展情況實際上是通態壓降，快速進行開關和高耐壓問題能力分析三者的折中。隨著中國工藝和結構設計形式的不同，IGBT在20年歷史文化發展社會進程中，有以下通過幾種主要類型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型和電場數據截止（FS）型。

碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料。 其優點是：帶隙寬，工作溫度高（可達600℃），熱穩定性好，導通電阻小，導熱性能好，漏電流最小，PN結電壓電阻高。 有利于制備耐高溫的高頻大功率半導體電子元件。

預計碳化硅將成為21世紀最有可能成功應用的新型功率半導體器件材料。

兩個問題：開關電源密度

　　提高工作開關電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們通過不斷發展努力學習追求的目標。電源的高頻化是國際社會電力企業電子界研究的熱點問題之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子技術設備（如移動網絡電話，數字經濟相機等）尤為具有重要。使開關電源小型化的具體管理辦法有：

首先，高頻率。為了實現高的功率密度的功率時，PWM變換器的工作頻率必須提高，從而降低了在電路中的能量存儲元件的體積的重量。

　　二是企業應用具有壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻信號功率變換器可以實現輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器主要利用壓電陶瓷復合材料以及特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質傳送能量，其等效電路設計如同我們一個串并聯諧振電路，是功率變換不同領域的研究社會熱點問題之一。

三，新電容器的使用。