開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十大關(guān)注點和四大趨勢

在60年代，對開關(guān)電源的出現(xiàn)，以便逐步取代線性穩(wěn)壓電源和SCR相位控制。12V開關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關(guān)管等部位，抗干擾電路出問題也會導致保險燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開關(guān)管擊穿導致保險燒一般會把電流檢測 電阻 和電源控制芯片燒壞。負溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險一起被燒壞。24V開關(guān)電源是高頻逆變開關(guān)電源中的一個種類。什么是24V開關(guān)電源 24V開關(guān)電源就是用通過電路控制開關(guān)管進行高速的導通與截止.將交流電提供給變壓器進行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。開關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。 40年來，開關(guān)電源技術(shù)已經(jīng)發(fā)展和變化迅，集成技術(shù)經(jīng)歷了功率半導體器件的三個發(fā)展階段，和高頻軟開關(guān)技術(shù)，開關(guān)電源系統(tǒng)。

　　功率控制半導體材料器件從雙極型器件（BPT、SCR、GTO）發(fā)展為MOS型器件（功率MOSFET、IGBT、IGCT等），使電力企業(yè)電子信息系統(tǒng)有可能可以實現(xiàn)一個高頻化，并大幅度提高降低導通損耗，電路也更為我們簡單。

80年代以來，研發(fā)和高頻軟開關(guān)技術(shù)，具有更好的性能，重量更輕，尺寸更小的電源轉(zhuǎn)換器。高頻軟開關(guān)技術(shù)和電力電子行業(yè)在過去20年的國際研究熱點之一。

　　上世紀90年代中期，集成電力企業(yè)電子信息系統(tǒng)和集成電力電子控制模塊（IPEM）技術(shù)已經(jīng)開始不斷發(fā)展，它是我們當今我國國際電力電子界亟待解決的新問題之一。

重點1：開關(guān)電源的功率密度

提高開關(guān)電源的功率密度，使其更小更輕，是人們不斷追求的目標。 高頻電源是電力電子領(lǐng)域的熱點問題之一。 電源的小型化和減輕重量對于移動電話和數(shù)碼相機等便攜式電子設(shè)備尤為重要。 小型化開關(guān)電源的具體方法是:

　　一是通過高頻化。為了能夠?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)電源高功率密度，必須不斷提高PWM變換器的工作時間頻率、從而可以減小電路中儲能元件的體積重量。

　　二是企業(yè)應用具有壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻信號功率變換器可以實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器主要利用壓電陶瓷復合材料以及特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路設(shè)計如同我們一個串并聯(lián)諧振電路，是功率變換不同領(lǐng)域的研究社會熱點問題之一。

三，使用新的電容。為了降低電力電子器件的體積和重量，必須設(shè)法提高電容器的性能，提高能量密度，研究以及為電力電子與電力系統(tǒng)的新型電容器的開發(fā)，需要大容量，ESR等效串聯(lián)電阻小的體積和小。

　　關(guān)注點二：功率半導體電子器件進行性能

英飛凌在1998年引入了一種冷mos管，它采用“超結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，因此也被稱為超結(jié)功率MOSFET。 工作電壓600V~800V，導通狀態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍然保持開關(guān)速度快。 是一種很有前途的高頻功率半導體器件。

Igbt 出現(xiàn)時，額定電壓和電流分別為600v 和25a。